Samsung အနေနဲ့ ပထမဆုံးသော 1TB eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) ကို ကြေငြာခဲ့ပါတယ်။ ဒီ Chip ကို အမြောက်အများ ထုတ်လုပ်နေပြီဖြစ်ပြီး လာမယ့် စမတ်ဖုန်းအမြင့်တွေမှာ ဒါကို တွေ့မြင်ရဖို့ရှိပါတယ်။ ပထမဦးဆုံးအဖြစ် Galaxy S10+ မှာ ပါဝင်လာမယ်လို့ မျှော်လင့်ရပါတယ်။
ဒီ 1TB eUFS Chip အသစ်ဟာ အရွယ်အစားအနေနဲ့ အရင် 512GB Chip ရဲ့ အရွယ်အစား (11.5 x 13mm ) နဲ့ အတူတူပဲဖြစ်ပြီး V-NAND Flash Memory အလွှာ ၁၆ ခုကို Controller အသစ်နဲ့အတူ အထပ်လိုက်ပေါင်းထည့်ထားတာကြောင့် သိုလှောင်မှုအနေနဲ့ နှစ်ဆ ပိုများလာတာ ဖြစ်ပါတယ်။
ဒီ Chip အသစ်တွေရဲ့ Sequential Read Speed အနေနဲ့ 1000 MB/s အထိ ရှိပြီး Sequential Write Speed အနေနဲ့ 260 MB/s ထိ ရှိပါတယ်။ ဒါဟာ ပုံမှန် SATA SSD တခုရဲ့ 540 MB/s Speed ထက် ပိုသာပါတယ်။ အရင် 512GB Storage Chip နဲ့ ယှဉ်မယ်ဆိုရင် 38% ပိုမိုမြန်ဆန်လာတာပါ။
| Memory | Sequential Read | Sequential Write | RAndom Read | Random Write |
|---|---|---|---|---|
| 1TB eUFS 2.1 | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 | 860 MB/s | 255 MB/s | 42,000 IOPS | 40.000 IOPS |
| 256GB UFS Card | 530 MB/s | 170 MB/s | 40,0000 IOPS | 35.000 IOPS |
| 256 eUFS 2.0 | 850 MB/s | 260 MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 | 300 MB/s | 150 MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
